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澜起科技第二代DDR4内存缓冲控制器芯片荣获中国芯“年度重大创新突破产品”奖

2018年11月9日,第十三届中国集成电路产业促进大会在重庆市隆重召开,澜起科技第二代DDR4内存缓冲控制器芯片M88DDR4RCD02 在众多参选产品中脱颖而出,获评中国芯“年度重大创新突破产品”。

一年一度的中国集成电路产业促进大会由工业和信息化部软件与集成电路促进中心(CSIP)主办,是国内集成电路领域重要的创新成果展示平台和业界交流盛会。大会揭晓了2018年第十三届“中国芯”优秀产品征集结果,对国内集成电路领域产品创新、技术创新和应用创新成果进行了表彰。

 

据“中国芯”秘书处统计,2018“中国芯”优秀产品征集共收到来自102家企业的154款产品的申报材料,企业数和产品数均创历届新高。最终,由澜起科技自主研发的第二代DDR4内存缓冲控制器芯片M88DDR4RCD02 荣获本年度中国芯 “年度重大创新突破产品”奖。

M88DDR4RCD02是澜起科技推出的全球首颗第二代DDR4 寄存时钟驱动器(RCD)芯片,是应用于新一代服务器平台的高性能内存缓冲控制器芯片。该芯片可应用于两种DDR4内存模组:寄存式双列直插内存模组(RDIMM)和减载双列直插内存模组(LRDIMM)。即,该RCD既可单独作为中央缓冲器用于RDIMM,又可以与第二代DDR4 数据缓冲器(DB)芯片组成套片,用于减载LRDIMM,为新一代服务器和数据中心提供更高容量、更低功耗的内存解决方案。

该芯片完全符合 JEDEC DDR4RCD02 标准,支持DDR4-2667的数据速率,其性能和速率均远超第一代DDR4寄存时钟驱动器芯片,后者支持的最高数据速率为DDR4-2400。M88DDR4RCD02支持 32 位 1:2 的地址和控制信号的寄存缓冲,并具有奇偶校验功能。随着JEDEC标准和内存技术的发展演变,澜起科技凭借自身专有的高速、低功耗技术,先后推出了DDR2、DDR3、DDR4等一系列内存缓冲控制器芯片。目前,澜起科技是国内乃至全亚洲唯一可以为服务器内存市场提供内存缓冲控制器芯片的公司,其DDR4内存缓冲控制器芯片已占据国际市场的主要份额。

“年度重大创新突破产品”奖是本年度集成大陆产业促进大会的新增奖项,用来表彰在本年度取得重大创新突破、填补国产空白、具有显著经济效益的芯片产品,代表了我国集成电路产业发展的先进水平。

关于澜起科技

作为业界领先的集成电路设计公司,澜起科技致力于为云计算和人工智能领域提供高性能芯片解决方案。公司在内存接口芯片领域深耕十多年,是全球唯一可提供从 DDR2 到 DDR5 内存全缓冲/半缓冲完整解决方案的供应商。澜起科技发明的 DDR4 全缓冲 “1+9” 架构被 JEDEC 采纳为国际标准,其相关产品已成功进入全球主流内存、服务器和云计算领域,并占据国际市场的主要份额。

2016 年以来,澜起科技和英特尔公司及清华大学合作,开发出安全可控 CPU,并结合澜起安全内存模组推出安全可控的高性能服务器平台,在业界首次实现了硬件级实时安全监控功能,可在信息安全领域发挥重要作用。这一架构还融合了面向未来人工智能及大数据应用的先进异构处理器计算与互联技术,可为人工智能时代的各种应用提供强大的综合数据处理及计算力支撑。

澜起科技成立于2004年,总部设在上海并在昆山、澳门、美国硅谷和韩国首尔设有分支机构。

欲了解更多有关澜起科技的信息,敬请登陆: http://www.montage-tech.com

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