澜起科技致力于开发新兴的全缓冲双列内存模组（FB-DIMM）的关键芯片——高级内存缓冲器。FB-DIMM采用一种全新的内存架构，解决了目前“短线连接”拓扑结构的容量-速度的瓶颈问题，为下一代高性能的平台，如服务器和工作站等，提供了高速、大容量的内存解决方案。
高级内存缓冲器芯片(AMB)是FB-DIMM技术的核心，它位于每个FB-DIMM中心，通过高速、串行、点对点的接口与内存控制器及其它的FB-DIMM通信。每个FB-DIMM上的AMB负责接收和处理来自内存控制器或前一个FB-DIMM的数据，并且把数据转发至其后面一个FB-DIMM。该架构消除了传统的内存模组在高内存密度情况下的阻抗不连续问题，满足了高性能平台对高带宽、大容量的内存的需求。