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DDR4 LRDIMM
M88DDR4DB01 (Gen1 DDR4 DB)
M88DDR4DB01是一款帶差動選通訊號的雙4位元雙向Gen1 DDR4資料緩衝器 (DB) 晶片，用於DDR4 LRDIMM記憶體模組。該晶片符合JEDEC DDR4DB01標準，最高支援速率DDR4-2400，支援1.2 V VDD電壓。該晶片內建一個雙4位元匯流排介面，用以連接記憶體控制器；一個雙4位元DRAM介面，可連接兩個4位元DRAM晶片；以及一個輸入控制匯流排介面，用以連接DDR4寄存緩衝器 (RCD) 晶片。
M88DDR4DB01的所有資料輸入均採用偽差動模式，內建電壓參考電路。而晶片的所有資料輸出腳位均端接上拉電源 (VDD)，經最佳化可驅動DDR4 LRDIMM板上單端或雙端終接負載的資料線路。此外，用於取樣資料輸入的差動資料控制訊號 (DQS) 可在晶片內部重新生成，以驅動與晶片相連的記憶體晶片的資料輸出。
M88DDR4DB01的輸入控制訊號BCOM[3:0]、BCKE和BODT由一對時脈輸入CK_t與BCK_c進行取樣。同時，該晶片還提供專用的ZQ校準引腳以及奇偶校驗和順序錯誤指示引腳。
功能特性
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符合JEDEC DDR4DB01標準 -
最高支援速率DDR4-2400
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支援DDR4資料 (DQ) 訊號雙向重定時與1:1再驅動
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支援透過輸入時脈重新生成資料控制 (DQS) 訊號
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DQ通路內建FIFO，支援匯流排介面時域與DRAM介面時域解耦
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支援最多四個package rank
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匯流排介面支援package rank時序校準
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僅支援4位元DRAM
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內部生成VrefDQ，並可對匯流排介面與DRAM介面分開控制
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支援1.2 V VDD電壓
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BCOM介面支援奇偶校驗錯誤與順序錯誤檢測
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DQ/MDQ輸入輸出特性可透過控制寄存器配置
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輸入時脈至輸出DQ/MDQ的傳輸延遲恆定，不隨電壓與溫度變化
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支援Ron與IBT值的ZQ校準
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支援同步ODT模式，包括RTT_PARK (以及RTT_NOM和RTT_WR)
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支援多種DQ校準模式
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支援PDA尋址 (Per-DRAM Addressability)
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對於BCW寫入命令，支援PBA尋址 (Per-Buffer Addressability)
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可程式化Write和Read Preamble Time (1tCK模式和2tCK模式)
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匯流排介面支援Read Preamble訓練功能
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支援BCW讀入模式和MPR讀入覆蓋模式
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無復位引腳，晶片可在BCK_t和BCK_c都置低且BCKE置高時進入復位狀態
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輸入時脈頻率可變，支援雙頻環境切換
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支援多種節電模式，如CKE低功耗模式、CK STOP模式等
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支援Memory Bist和透明模式
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綠色封裝：FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)
典型應用
DDR4 LRDIMM
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