上海，2021年10月29日 -- 瀾起科技宣佈其DDR5第一子代記憶體介面及模組配套晶片已成功實現量產。該系列晶片是DDR5記憶體模組的重要組件，包括寄存時鐘驅動器 (RCD)、數據緩衝器 (DB)、序列檢測集線器 (SPD Hub)、溫度感測器 (TS) 和電源管理晶片 (PMIC)，可為DDR5 RDIMM、LRDIMM、UDIMM、SODIMM等記憶體模組提供整體解決方案。

隨著資訊技術的飛速發展，記憶體技術現已發展至DDR5世代。作為業界領先的記憶體介面晶片組供應商和JEDEC記憶體標準的積極貢獻者，瀾起科技專注於記憶體介面技術的持續創新，這次推出的DDR5第一子代記憶體介面晶片RCD/DB，支援的最高速率達4800 Mbps，是DDR4最高速率的1.5倍；介面電壓低至1.1 V，能耗更低；採用創新的訊號校準協議及均衡技術，大幅提高了記憶體訊號完整性。

與DDR4記憶體模組相比，DDR5記憶體模組在架構上進行了革新，除配置記憶體顆粒和記憶體介面晶片之外，還需要搭配其他專用配套晶片。瀾起科技精準把握這一技術趨勢，首次推出了DDR5 PMIC、TS及SPD Hub這三款配套晶片，可為DDR5記憶體模組提供多通道電源及管理、多點溫度檢測、I3C串列匯流排及路由等輔助功能。這些配套晶片與記憶體介面晶片一起，共同助力DDR5記憶體模組在速度、容量、節能及可靠性等方面實現全面提升，滿足新一代伺服器、桌上型電腦及攜帶型電腦對記憶體系統的更高要求。

10月27-28日，作為英特爾公司多年的生態夥伴，瀾起科技應邀參加了英特爾舉辦的線上創新峰會（Intel Innovation），並在英特爾官網佈置虛擬展臺，以影片、圖片和宣傳彩頁等形式向業界展示了這五款晶片及其應用場景。

瀾起科技的銷售及商務拓展副總裁Geof Findley表示：「瀾起在記憶體介面晶片領域深耕多年，基於DDR2、DDR3、DDR4這幾代產品的成功研發和量產經驗，我們非常高興能為英特爾最新一代的伺服器和客戶端產品提供性能更強、可靠性更高的DDR5記憶體介面解決方案。」

英特爾公司數據平台集團副總裁兼記憶體和IO技術總經理Carolyn Duran表示：「英特爾與瀾起科技在記憶體領域已密切合作了十多年，熱切期待在DDR5記憶體世代繼續與瀾起科技展開深度合作。」

展望未來，瀾起科技將以自身在記憶體介面領域的深厚積累和生態優勢，持續為客戶提供卓越的記憶體介面產品與服務，為資料中心和雲端運算領域創造更大價值！

如需了解更多產品詳情，請參閱：https://www.montage-tech.com/Memory_Interface/DDR5。