上海，2023年10月27日 -- 瀾起科技宣佈在業界率先試產DDR5第三子代寄存時脈驅動器晶片M88DR5RCD03，該晶片應用於DDR5 RDIMM記憶體模組，旨在進一步提升記憶體資料存取的速度及穩定性，滿足新一代伺服器平台對容量、頻寬、存取延遲等記憶體效能的更高要求。

作為國際領先的記憶體介面晶片供應商，瀾起科技在DDR5記憶體介面技術上持續精進，不斷推進產品升級迭代。公司新推出的DDR5 RCD03晶片支援高達6400 MT/s的資料速率，相較第二子代提升14.3%，相較第一子代提升33.3%。

與DDR4世代的RCD產品相比，該款晶片採用雙通道架構，支援更高的儲存效率與更低的存取延遲；採用1.1V VDD和1.0V VDDIO電壓及多種節電模式，功耗顯著降低；支援更高密度的DRAM，單模組最大容量可達256 GB。

瀾起科技總裁 Stephen Tai 先生表示：「我們很榮幸在DDR5 RCD03晶片的研發和試產上均保持行業領先。瀾起將繼續與國際主流CPU和DRAM廠商緊密合作，助力DDR5伺服器大規模商用。」

英特爾記憶體與I/O技術副總裁 Dimitrios Ziakas 博士表示：「英特爾一直處於DDR5記憶體技術與生態系統發展的前沿，支援可靠且可擴展的行業標準。我們很高興看到瀾起科技在DDR5最新一代的記憶體介面晶片上取得了新進展，該晶片可與英特爾下一代E核與P核至強® CPU配合使用，助力CPU釋放強勁效能。」

三星電子記憶體產品企劃團隊執行副總裁 Yongcheol Bae 先生表示：「三星一直致力於最新一代記憶體產品的研發與應用，以滿足資料密集型應用對記憶體容量與頻寬迅猛增長的需求。我們期待與瀾起繼續保持穩定的合作，不斷完善DDR5記憶體產品標準，推進產品迭代與創新。」

除了RCD晶片以外，瀾起科技還提供DDR5資料緩衝器（DB）、序列檢測集線器（SPD Hub）、溫度感測器（TS）、電源管理晶片（PMIC）等記憶體介面及模組配套晶片。這些晶片也是DDR5記憶體模組的重要元件，可配合RCD晶片為DDR5記憶體模組提供多種必不可少的功能與特性。

供貨資訊

瀾起科技現可供貨第一子代、第二子代與第三子代DDR5暫存時脈驅動器晶片，產品型號為M88DR5RCD01、M88DR5RCD02及M88DR5RCD03。詳情請洽瀾起科技銷售人員，電話：021-54679038；電子郵件信箱：globalsales@montage-tech.com。

如需了解更多瀾起科技記憶體介面晶片及記憶體模組配套產品詳情，請訪問https://www.montage-tech.com/Memory_Interface。